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DDR3與DDR2內(nèi)存的區(qū)別——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)

DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過(guò)兩者的防呆缺口位置是不同的，不能混插，常見(jiàn)的容量是512MB到8GB，當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存，只不過(guò)很稀少。頻率方面從800MHz起步，目前比較容量買(mǎi)到高的頻率是2400MHz，實(shí)際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存，只是比較難買(mǎi)得到，支持DDR3內(nèi)存的平臺(tái)有Intel的后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等，LGA 1366平臺(tái)，LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79，AMD方面AM3、AM3＋、FM1、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3。

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DDR和DDR2內(nèi)存的區(qū)別——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)

DDR2內(nèi)存的金手指數(shù)比DDR多，DDR2有240個(gè)金手指，DDR只有184個(gè)，兩者的防呆缺口位置防止用戶(hù)差錯(cuò)插槽，有一個(gè)比較容易從外觀上區(qū)分DDR與DDR2內(nèi)存的方法，就是DDR內(nèi)存是采用TSSOP封裝的，而DDR2內(nèi)存是用BGA封裝的，看內(nèi)存芯片就能分清楚兩者。

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內(nèi)存條卡槽的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)

SDR SDRAM內(nèi)存

然而隨著CPU的升級(jí)EDO內(nèi)存已經(jīng)不能滿(mǎn)足系統(tǒng)的需求了，內(nèi)存技術(shù)也發(fā)生了大革命，插座從原來(lái)的SIMM升級(jí)為DIMM（Dual In－line Memory Module），兩邊的金手指?jìng)鬏敳煌臄?shù)據(jù)，SDR SDRAM內(nèi)存插座的接口是168Pin，單邊針腳數(shù)是84，進(jìn)入到了經(jīng)典的SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM）時(shí)代。

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